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女同 调教 四川和晟达苦求氧化物半导体保护用Cu-MTD蚀刻液组合专利, 确保电子元器件具备高迁徙率的优异特质

发布日期:2025-06-29 22:58  点击次数:191

女同 调教 四川和晟达苦求氧化物半导体保护用Cu-MTD蚀刻液组合专利, 确保电子元器件具备高迁徙率的优异特质

金融界2025年4月9日音书女同 调教,国度学问产权局信息显现,四川和晟达电子科技有限公司苦求一项名为“一种氧化物半导体保护用Cu-MTD蚀刻液组合物”的专利,公开号CN119776007A,苦求日历为2024年12月。

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专利选录显现,本发明触及一种氧化物半导体保护用Cu‑MTD蚀刻液组合物。按分量百分比计,组分包括:双氧水13‑25%、螯合剂2‑6%、蚀刻剂0.1‑4%、阻难剂0.02‑5%、双氧水雄厚剂0.01‑3%,水补足余量;所述阻难剂包括第一阻难剂、第二阻难剂和第三阻难剂,所述第一阻难剂包括杂环芳醇族化合物和/或杂环脂肪族化合物,所述第二阻难剂包括铵氢氧化物,所述第三阻难剂包括有机酸锌。同期添加杂环芳醇族化合物和/或杂环脂肪族化合物、铵氢氧化物和有机酸锌,可在蚀刻经过中好像灵验地阻难IGZO名义特质的变化,从而确保最终酿成的电子元器件具备高迁徙率的优异特质。

天眼查贵府显现,四川和晟达电子科技有限公司,建造于2017年,位于眉山市,是一家以从事科技实际和讹诈办做事为主的企业。企业注册老本1000万东说念主民币,实缴老本1000万东说念主民币。通过天眼查大数据分析,四川和晟达电子科技有限公司参与招投标花式17次,专利信息55条,此外企业还领有行政许可20个。

本文源自:金融界女同 调教



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